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.mmm.. continua..

Brakeen on 9. Feb, 2012 — Lang: Espanol

.mmm.. continua..

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    Impurificación (adición de dopantes)

    Como estaba diciendo...

    Tienen que poner atención por que ustedes lo haran...

    Difusión
    Se colocan las obleas en el interior de un horno a través del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado.
    Para Si tipo P el dopante más usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsénico y Fósforo.
    Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusión.
    Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusión:
    Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentración de impurezas durante el proceso
    Con fuente limitada: se parte de una concentración inicial y no se añaden mas dopantes
    Normalmente se usan los dos métodos uno seguido del otro.
    La profundidad de la difusión dependerá del tiempo y de la temperatura.
    La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida que se aleja de la superficie.
    La técnica de difusión tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente

    Implantación iónica
    Se ionizan las impurezas
    Se aceleran y adquieren alta energía
    Se introducen en el Si con el ángulo adecuado
    Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura
    Mejor control de la difusiones profundidad y dopado

    Ya me dio hambre ire por unas papas para acompañar esta rica hamburguesa

    Esta bien bueno este Comic de Brakeen!!

    Esta bien Cabr... tengo que estudiar mas!!

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